[发明专利]固态图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200510087952.2 | 申请日： | 2005-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1728398A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 铃木政胜;吉田贡 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L21/265 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种固态图像传感器的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中形成用于光电转换的光电检测器部分；以及形成用于转移从光电检测器部分读出的信号电荷的移位寄存器，在用于形成构成移位寄存器的掩埋沟道区的离子注入之后进行退火。可以提供一种固态图像传感器的制造方法，避免在移位寄存器和光电检测器部分中形成晶体缺陷，实现优异的输出图像质量和大饱和电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种固态图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底中形成用于光电转换的光电检测器部分；以及形成用于转移从所述光电检测器部分读出的信号电荷的移位寄存器；其中所述移位寄存器的形成包括在离子注入之后进行的退火，所述离子注入用于形成构成所述移位寄存器的掩埋沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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