[发明专利]分子光电系统、其制造方法以及由它们制得的制品有效
| 申请号： | 200510087971.5 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1734792A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | J·Y·桂;J·L·斯皮瓦克;A·R·杜加尔;J·A·塞拉;A·阿利扎德;A·亚基莫夫 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01G9/20;H01M14/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;庞立志 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了光电池，所述光电池包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 光电 系统 制造 方法 以及 它们 制品 | ||
【主权项】：
1.一种光电池，包括：能够吸收电磁辐射的吸收剂；包括第一导电表面的第一基底；包括第二导电表面的第二基底，第二导电表面和第一导电表面相对，并且面对着第一基底的第一导电表面；电子传送剂，它和第二基底的第二导电表面进行电传递，但是和第一基底是电绝缘的；空穴传送剂，它和第一基底的第一导电表面进行电传递，但是和第二基底是电绝缘的；其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到电绝缘壳层上，并且其中空穴传送剂和/或电子传送剂化学键合到吸收剂上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
