[发明专利]半导体激光装置及光拾取装置无效

专利信息
申请号: 200510088130.6 申请日: 2005-07-29
公开(公告)号: CN1747005A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 高须贺祥一;黑田俊宏;阿闭诚 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B7/12 分类号: G11B7/12;G11B7/125;G11B7/135
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体激光装置,备有:半导体激光芯片(1),其具有由半导体基板以及层叠于该半导体基板的元件形成面一侧的多层半导体层构成的复合体,并输出照射到光盘的照射光;以及受光元件(2),其接收照射光被光盘反射后的返回光。所述半导体激光芯片(1),在封装内将复合体的一个面与光透过面对向地固定,在一个面上形成电极,所述电极具有在透过返回光(14)所入射的区域露出复合体的芯片露出部(33)。从而根据本发明能够实现一种半导体激光装置,其吸收入射到半导体激光芯片上表面的返回光,伺服动作稳定且成本低,而又不会使制造工序复杂化。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 拾取
【主权项】:
1.一种半导体激光装置,其特征在于,具备:半导体激光芯片,其由半导体基板和层叠于该半导体基板的元件形成面的上侧的多个半导体层构成,并输出照射到光盘的照射光;受光元件,其接收所述照射光被所述光盘反射后的返回光;封装,其容纳所述半导体激光芯片和受光元件,并具有透射所述照射光及返回光的光学元件;光分路元件,其设置于所述光学元件的一个面上,将所述照射光分路为主光束和两个以上的子光束;其中所述半导体激光芯片固定在:具有形成于该半导体激光芯片的一个面的电极,将所述电极和所述光学元件对向,并使所述封装内的由所述光盘所反射的所述子光束中的至少一束在所述一个面上入射的位置上;在所述电极上形成有芯片露出部,露出所述一个面的所述子光束所入射的区域。
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