[发明专利]半导体集成电路以及升压方法有效
| 申请号： | 200510088231.3 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1763823A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 川越政邦 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，不使用外带的二极管并避免闭锁。由根据第1电位产生第2电位的第1电位产生电路、以及在经过规定时间之前根据第1电位开始产生第3电位并且在经过规定时间后根据第2电位产生第3电位的第2电位产生电路构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 以及 升压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，由根据第1电位产生第2电位的第1电位产生电路、以及在经过规定时间之前根据所述第1电位开始产生第3电位并且在经过所述规定时间后根据所述第2电位产生所述第3电位的第2电位产生电路构成。
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