[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510088281.1 | 申请日： | 2005-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1747062A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 山上由展 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/412;H01L27/105;H01L27/11 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当存储单元无效时，存储单元电源电压控制电路使提供给存储单元的电源电压减小到存储单元保持电压，由此减小了在存储单元中流动的漏电流。通过减小漏电流，可以减小半导体存储器件的功耗和增加其工作速度。而且，存储单元中的晶体管的阈值电压保持很低，由此提高了半导体存储器件在低电源电压下的工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种具有电源电压控制功能的半导体存储器件，包括：多条字线；多条位线；多条电源线；连接到所述字线、所述位线和所述电源线的多个存储单元；以及存储单元电源电压控制电路，用于经过电源线将预定电源电压提供给连接到有效的所述字线的所述存储单元，并用于经过电源线将电压提供给连接到无效字线的存储单元，该电压比所述预定电源电压低且大于或等于使所述存储单元可以保持数据的最低可能电平。
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