[发明专利]用于离子源的发射器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510088410.7 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1737987A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·皮尔兹;洛塔尔·比索夫 | 申请（专利权）人： | ICT半导体集成电路测试有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J27/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供一种用于离子源的发射器，尤其用于液态金属合金离子源(LMAIS)。该发射器包括二元合金PrSi作为源材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子源 发射器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于离子源的发射器，其中所述发射器包括二元合金PrSi。
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