[发明专利]化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法无效
| 申请号： | 200510088470.9 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1727431A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | S·J·莱恩;B·L·穆勒;C·于 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于抛光半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅的水性组合物，包括0.01－5wt％的羧酸类聚合物，0.02－6wt％磨料，0.01－10wt％聚乙烯吡咯烷酮，0－5wt％阳离子化合物，0－5wt％的两性离子化合物和余量的水，其中聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量在100g/mol－1,000,000g/mol之间。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 二氧化硅 氮化 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅的水性组合物，它包括0.01-5wt％的羧酸聚合物、0.02-6wt％的磨料、0.01-10wt％的聚乙烯基吡咯烷酮、0-5wt％的阳离子化合物、0-5wt％的两性离子化合物和余量的水，所述聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量在100g/mol-1,000,000g/mol之间。
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