[发明专利]蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510088504.4 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1740396A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金有京;洪昌基;崔相俊;韩政男 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括去离子水和有机酸的蚀刻剂溶液，该有机酸具有羧基和氢氧基。还公开了用于形成磁存储器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 溶液 利用 包括 过程 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻剂溶液，包括：去离子水；以及有机酸，具有羧基和氢氧基，其中相对于去离子水，该蚀刻剂溶液包括约0.05至50重量百分比的有机酸。
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