[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 200510088625.9 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1905219A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 武良文;蔡亚萍;简奉任;张福裕;游正璋;温子稷 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙潭*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，包括基板、第一型掺杂半导体层、第一电极、发光层、第二型掺杂半导体层与第二电极。其中，基板具有表面以及多个位于表面上的圆柱状光子晶体，而第一型掺杂半导体层是设置于基板上以覆盖这些光子晶体。发光层、第二型掺杂半导体层与第二电极是依次设置于部分第一型掺杂半导体层上，而第一电极则是设置于未覆盖有发光层的部分第一型掺杂半导体层上。由于具有光子晶体的基板能够改善第一型掺杂半导体层的外延质量，并增加正向射出发光二极管结构的光能量，因此可有效提高发光二极管结构的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征是包括：基板，具有表面以及多个位于该表面上的圆柱状光子晶体；第一型掺杂半导体层，设置于该基板上以覆盖上述光子晶体；发光层，设置于部分该第一型掺杂半导体层上；第二型掺杂半导体层，设置于该发光层上；第一电极，设置于未覆盖有该发光层的部分该第一型掺杂半导体层上；以及第二电极，设置于该第二型掺杂半导体层上。
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