[发明专利]改善电子迁移的半导体元件与半导体元件的形成方法有效
| 申请号： | 200510088729.X | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1783478A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张中良;谢静华;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善电子迁移的半导体元件与半导体元件的形成方法，所述改善电子迁移的半导体元件，包括表面具有开口的介电层，阻隔层位于开口内，胶层位于阻隔层上，以及导体位于胶层上，以填充开口。本发明所述改善电子迁移的半导体元件与半导体元件的形成方法，是一种改良的结构与方法，其解决了现有技术中内连线有关电子迁移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 电子 迁移 半导体 元件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善电子迁移的半导体元件，所述改善电子迁移的半导体元件包括：一介电层，该介电层具有一开口；一阻隔层位于该开口内；一胶层位于该阻隔层上；以及一导体位于该胶层上，该导体填充该开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510088729.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于用户简档的视频语言过滤
- 下一篇：磁芯导线、导线安装方法及其加工装置
