[发明专利]冷却装置有效
申请号: | 200510088732.1 | 申请日: | 2005-07-29 |
公开(公告)号: | CN1734738A | 公开(公告)日: | 2006-02-15 |
发明(设计)人: | 萧义理;陈择毅;黄见翎;彭进兴;汪青蓉;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种冷却装置,用以控制一静电承载座上的一半导体晶圆的温度。上述冷却装置包括一多孔隙流动层、一多孔隙接触层、一多孔隙热交换层、一入口端、一出口端以及循环装置。前述多孔隙热交换层设置于多孔隙流动层与多孔隙接触层之间。前述多孔隙接触层连接静电承载座与出口端,多孔隙流动层则连接入口端。工作流体自入口端依序流经多孔隙流动层、多孔隙热交换层以及多孔隙接触层,并经由出口端流出多孔隙接触层,借以与半导体晶圆进行热交换。前述循环装置连接入口端以及出口端,用以驱动工作流体循环地于冷却系统内流动。本发明不仅构造简单且成本低廉,可节省人力以及硬设备的支出,此外亦可改善制程的稳定性进而提升产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 冷却 装置 | ||
【主权项】:
1、一种冷却装置,一工作流体流经该冷却装置内部,用以控制一半导体晶圆的温度,其中该半导体晶圆是固定于一静电承载座,该冷却装置包括:一多孔隙流动层;一多孔隙接触层,连接该静电承载座;一多孔隙热交换层,设置于该多孔隙流动层与该多孔隙接触层之间;一入口端,连接该多孔隙流动层;以及一出口端,连接该多孔隙接触层,其中该工作流体自该入口端依序流经该多孔隙流动层、该多孔隙热交换层以及该多孔隙接触层,并经由该出口端流出该多孔隙接触层,借以与该半导体晶圆进行热交换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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