[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200510088802.3 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1734712A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 岩田学;舆水地盐;山泽阳平 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用等离子体来处理基板的等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容基板来进行处理的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内，相对所述下部电极而配置的上部电极；高频电源，向至少所述下部电极和所述上部电极之一供给高频电力，在所述下部电极和所述上部电极之间产生等离子体；和电气特性调整部，调整相对于存在于所述处理容器内的至少一个高频频率的、从所述等离子体看到的电极一侧的电路的阻抗，以使所述电路不发生共振。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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