[发明专利]编制多阶相变记忆体装置的方法有效
| 申请号： | 200510088875.2 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1767047A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李明修;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种编制相变装置的方法，包括选定所期望的临界电压并向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲。程式化脉冲的施加包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该材料。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，以使得相变装置具有所期望的临界电压。而施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶。 | ||
| 搜索关键词： | 编制 相变 记忆体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种编制相变装置的方法，其特征在于其包括：选定所期望的临界电压(Vth)；以及向相变装置中的相变材料上施加一程式化脉冲，包括：向相变材料施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该相变材料，该能量被施加一个第一时间区间；允许施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下；控制从相变材料上能量消散的形态，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，其中控制能量消散的形态以使得相变装置具有所期望的临界电压；以及允许施加到相变材料上的剩余能量消散到一环境能阶。
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