[发明专利]非易失性存储装置以及非易失性存储装置的数据写入方法有效

专利信息
申请号: 200510088880.3 申请日: 2005-07-29
公开(公告)号: CN1747068A 公开(公告)日: 2006-03-15
发明(设计)人: 小平觉;小林等;前村公博 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/10;H01L27/115;H01L21/8247
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可以降低功耗,并防止非易失性存储元件毁损的非易失性存储装置及其数据写入方法。各存储单元(300)包括非易失性存储元件(310)和字线开关WLS,各字线连接排列在行方向X的存储单元(300)的字线开关WLS的栅电极,各位线连接排列在列方向Y的存储单元(300)的字线开关WLS,各第一控制栅极线CG11连接各存储单元块内的M个存储单元(300)的非易失性存储元件(310)的控制栅电极,当对期望的存储单元(300)进行数据写入时,将字线写入电压施加在与期望的存储单元(300)对应的字线上,使存储单元(300)的字线开关WLS为ON,并且将位线写入电压施加在连接到存储单元(300)的位线上,向配置在存储单元块中的第一控制栅极线CG11施加控制栅极线写入电压。
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 以及 数据 写入 方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储装置,其特征在于,包括:多个存储单元块,其中,N个存储单元块设置在行方向上,L个存储单元块设置在列方向上,每个存储单元块均具有M个存储单元,其中,N为大于等于2的整数,L为大于等于2的整数,M为大于等于2的整数;多条字线;多条第一控制栅极线;以及多条位线;其中,所述多个存储单元的每个均包括非易失性存储元件、字线开关,所述非易失性存储元件的一端与所述字线开关的一端连接;其中,所述多条字线的每条,共同连接所述多个存储单元中的排列在行方向上的N个存储单元块中的存储单元的所述字线开关的栅电极;其中,所述多条位线的每条,共同连接所述多个存储单元中的排列在列方向上的L个存储单元的所述字线开关的另一端;其中,所述多条第一控制栅极线的每条均配置在各个存储单元块中,以便共同连接各个存储单元块内的所述M个存储单元的所述非易失性存储元件的控制栅电极;其中,当被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时,向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的字线施加字线写入电压,使所述被选择的存储单元块的存储单元的所述字线开关成为ON;向连接至所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加位线写入电压;以及向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压
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