[发明专利]记忆体元件的制造方法、记忆体元件与相变化记忆体元件

摘要

本发明是有关于一种记忆体单元结构和硫属化合物相变化记忆体的制造方法。特别是，它产生一小剖面区域，这个小剖面区域是相变化记忆体的硫属化合物－电极接触的部分，此一很小的剖面区域影响硫属化合物记忆体所需要的电流/电能。

主权项

1、一种记忆体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底的表面上形成一多层堆叠，该多层堆叠包括一第一导体层、为形成选择元件所选定的一或多数个材料层，以及一绝缘层；蚀刻该绝缘层一直到为形成选择元件所选定的该或该些材料层的表面，以形成多数个沟渠；在为形成选择元件所选定的该或该些材料层上，沿着该些沟渠相对的两侧，形成由导体材料组成的多数个间隙壁侧电极；在该多层堆叠中蚀刻出多数个间隙，以此定义向一第一方向延伸的一第一批线，其中，处于该第一批线之间的该些间隙在该基底上的该多层堆叠中延伸，并且将各该分开沟渠相对两侧的该些间隙壁侧电极分隔开来；用绝缘材料填充该些间隙；在该些间隙壁侧电极上形成为形成相变化记忆体元件所选定的一或多数个相变化材料层；在该或该些相变化材料层上，形成一第二导体层；以及在该多层堆叠、该或该些相变化材料层，以及该第二导体层中蚀刻出多数个另外的间隙，由此定义：向第二方向延伸的一第二批线，该第一批线和该第二批线互相交叉，其中，该些另外的间隙从该多层堆叠延伸至该第一导体层；以及一自行对准堆叠，其包括为形成选择元件所选定的该或该些材料层的剩余部分、该些另外的间隙，以及该或该些相变化材料层，该自行对准堆叠在二导线之间延伸，该二导线分别是由该第一导体层以及该第二导体层所形成的。