[发明专利]利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法

摘要

利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法，包括以下步骤：在衬底上生长n型磷化铟缓冲层等；用二氧化硅把分布反馈布拉格－激光器掩蔽，在模斑转换器区的本征铟磷注入缓冲层产生点缺陷；腐蚀掉分布反馈布拉格－激光器的二氧化硅保护层；对晶片加热、保温、退火；腐蚀二氧化硅保护层；在整个晶片上面光栅；腐蚀掉本征铟磷注入缓冲层；刻出模斑转换器上、下脊形波导结构；清洗晶片，第二次生长p－铟磷层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；在整个晶片上面生长二氧化硅绝缘层；在分布反馈布拉格激光器区开出电极窗口，溅射P电极；外延片衬底减薄，背面蒸n电极；样品经划片解理成管芯，完成整个器件的工艺制作。

主权项

1、一种利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法，其特征在于，包括以下制作步骤：(1)在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、磷化铟空间层、有源区、本征铟磷注入缓冲层；(2)用二氧化硅把分布反馈布拉格-激光器掩蔽，使用热耙低能磷离子注入，在模斑转换器区的本征铟磷注入缓冲层产生点缺陷；(3)腐蚀掉布反馈布拉格-激光器的二氧化硅保护层，同时在晶片上面重长二氧化硅保护层以免随后的快速热退火过程对晶片表面产生损伤；(4)对晶片加热、保温，然后快速退火；(5)腐蚀二氧化硅保护层，同时腐蚀掉分布反馈布拉格-激光器的本征铟磷注入缓冲层；(6)在整个晶片上面制作布拉格光栅；(7)腐蚀掉模斑转换器区的本征铟磷注入缓冲层，这样使光栅只保留在分布反馈布拉格-激光器区；(8)采用湿法腐蚀工艺刻出模斑转换器上脊形波导结构和下脊型波导结构；(9)清洗晶片，第二次生长p-铟磷层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；(10)在整个晶片上面生长350nm的二氧化硅绝缘层；(11)在分布反馈布拉格激光器区开出电极窗口，溅射P电极；(12)外延片衬底减薄，背面蒸n电极；(13)样品经划片解理成管芯，出光端面为[011]方向，完成整个器件的工艺制作。