[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200510089129.5 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1734765A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 炭田昌哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体器件包括：具有预定功能的第一半导体集成电路(11)，该第一半导体集成电路输出所需的输出信号；第二半导体集成电路(12)，其中提供有多个用于根据具有不同定时的多个栅极信号独立地来回转换导通状态和非导通状态的MOS元件(PMOS晶体管或NMOS晶体管)，并且该多个MOS元件并联连接到该第一半导体集成电路的输出或输入；脉冲产生电路(13)，用于产生和输出多个栅极信号φi(i＝1，2，3)，每个栅极信号具有关于该第二半导体集成电路中的多个MOS元件的不同定时。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有预定功能的第一半导体集成电路，该第一半导体集成电路输出所需的输出信号；和第二半导体集成电路，其中提供有根据具有不同定时的多个栅极信号独立地在导通状态和非导通状态之间转换的多个MOS元件，所述多个MOS元件并联连接到该第一半导体集成电路的输出或输入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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