[发明专利]半导体装置、半导体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200510089249.5 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1773727A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 杨富量;杨育佳;陈宏玮;曹训志;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、半导体晶片及其制造方法，具体为一种绝缘层上覆半导体的装置，包含覆于一绝缘层上的一硅主动层，上述硅主动层具有<100>的晶格方向。上述绝缘层是位于具有上述硅主动层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于所述半导体装置包含：一绝缘层；一硅主动区于该绝缘层的第一侧，其中该硅主动区具有第一结晶方向；一基底于该绝缘层的第二侧，其中该基底具有第二结晶方向。
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