[发明专利]避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构无效
| 申请号： | 200510089334.1 | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1909204A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 谢盛诚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，是仅在沟渠上方的部分介电层上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于孔洞上方的介电层，以免该孔洞在后续蚀刻工艺中被露出。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 介电层沟填 孔洞 露出 方法 介电膜 工艺 结构 | ||
【主权项】：
1.一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，其中该孔洞为以该介电层填充一沟渠而形成的封闭孔洞，该方法包括：仅在该沟渠上方的该介电层的一部分上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于该孔洞上方的该介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510089334.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种结合病毒检测与入侵检测的方法及系统
- 下一篇：立体图案电脑刺绣制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
