[发明专利]半导体存储器及检测其位线的方法有效
| 申请号： | 200510089338.X | 申请日： | 2005-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1747063A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李炫锡;崔钟贤;千基喆;李宗彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储器及检测其位线的方法。该半导体存储器包括一第一存储单元，其连接在一通过一第一地址存取的第一字线与一反相位线之间；一第二存储单元，其连接在一通过一第二地址存取的第二字线与一位线之间；一第一型检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，如果在一第一启动信号上施加一第一电压，使一第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及一第一型第二MOS晶体管检测该位线、一第二型第一检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及一第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测放大器，包括：一对检测位线；一第一MOS检测放大器，其中含有一第一对第一导电性型MOS晶体管，越过所述检测位线对电连接，将所述第一对第一导电性型MOS晶体管配置成有不同阈值电压或支持不同阈值电压偏置；以及一第二MOS检测放大器，其中含有一第一对第二导电性型MOS晶体管，越过所述检测位线对电连接。
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