[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200510089496.5 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1917165A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赖佳平;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有垫层、多晶硅层与掩模层。接着，将多晶硅层与掩模层图案化以形成开口，而暴露出垫层。然后，进行热氧化工艺，以于开口所暴露出的多晶硅层的侧壁上形成氧化层。接着，去除开口下方的部分基底，以于基底中形成沟槽。然后，形成绝缘层以填满沟槽。接着，移除掩模层与多晶硅层。之后，再移除垫层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一垫层、一多晶硅层与一掩模层；图案化该多晶硅层与该掩模层以形成一开口，而暴露出该垫层；进行一热氧化工艺，以于该开口所暴露出的该多晶硅层的侧壁上形成一氧化层；去除该开口下方的部分该基底，而形成一沟槽；形成一绝缘层以填满该沟槽；移除该掩模层与该多晶硅层；以及移除该垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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