[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510089712.6 | 申请日： | 2003-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1873939A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 西山知宏;田子雅基 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用能使组件成形的电解镀敷法，将由铜等形成的柱状块，经过晶片上的接合膜和粘接膜，形成在布线薄膜上。例如金的防氧化膜在柱状块的上表面或一部分上表面和侧表面形成。例如氧化膜这样的防沾湿膜，按需要形成在柱状块上。如果这个块焊接至布线基板上的焊盘，焊料将沾湿于柱状块上表面整个区域，和侧表面的部分区域。因此能形成稳定而可靠的连接。另外，由于柱状块不熔化，半导体线路板和组装线路板之间的距离不因焊料而变窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：所述方法包括步骤：用等离子体激发的惰性气体物理激波，清洗在半导体元件电极上形成的金属柱状凸起前端部表面和布线基板上的焊盘表面；将所述金属柱状凸起和所述布线基板的焊盘对准；和在对所述半导体元件和所述布线基板进行所述施加压力时，粘接所述金属柱状凸起和所述焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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