[发明专利]非挥发性记忆体的操作方法有效
| 申请号： | 200510089825.6 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1909197A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体的操作方法，其中此非挥发性记忆体至少具有依序堆叠的穿隧介电层、电荷陷入层、介电层与闸极导体层所形成的闸极结构以及源极区与汲极区，此操作方法在抹除非挥发性记忆体时，对非挥发性记忆体照射紫外光以使电子注入电荷陷入层以抹除非挥发性记忆体，以及在程式化非挥发性记忆体时，对闸极导体层施加负电压以及对汲极施加正电压，以利用频带间引发热电洞注入法程式化非挥发性记忆体。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性记忆体的操作方法，其中该非挥发性记忆体至少具有依序堆叠的一穿隧介电层、一电荷陷入层、一介电层与一闸极导体层所形成的一闸极结构，以及一源极区与一汲极区，其特征在于该方法包括下列步骤：在抹除该非挥发性记忆体时，对该非挥发性记忆体照射紫外光，以使电子注入该电荷陷入层以抹除该非挥发性记忆体；以及在程式化该非挥发性记忆体时，对该闸极导体层施加一负电压以及对该汲极施加一正电压，以利用频带间引发热电洞注入法程式化该非挥发性记忆体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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