[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200510090165.3 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1734786A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 伍佑国;姜安民;许顺良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及其形成方法。第一掺杂阱区形成于一阱层的第一主动区中；至少一部分的上述第一掺杂阱区相邻于上述晶体管的一栅极；一凹部形成于上述第一掺杂阱区中，上述凹部的深度较好为至少500；第一隔离区形成于上述阱层的上表面，并至少部分位于一隔离区上；至少一部分的第二隔离区形成于上述凹部中；一部分的上述第二隔离区低于上述第一隔离区；一漏极区形成于上述凹部中；上述第二隔离区是位于上述栅极与上述漏极区之间。本发明所述晶体管及其形成方法，通过减少热载流子效应，并提升打开时的崩溃电压，而提升LDMOS晶体管的性能，亦可提升可靠度、增加栅极氧化层的完整性、并在高电压时得到较理想的电流－电压曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，其特征在于所述晶体管包含：一栅极；第一掺杂阱区于一阱层中；一凹部于该第一掺杂阱区中；第一绝缘区于该阱层的上表面；第二绝缘区，其至少一部分于该凹部中，而使至少一部分的该第二绝缘区低于该第一绝缘区；以及一漏极区于该凹部中，与该第二绝缘区相邻，而使该第二绝缘区位于该栅极与该漏极区之间。
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