[发明专利]在半导体元件中形成铜接触的方法

摘要

本发明提供一种在半导体元件中形成铜接触的方法，具体为一种利用氢等离子与微量气体添加物作蚀刻后铜清洁的方法，以清洁因蚀刻而使铜暴露的表面，其中微量气体添加物约占等离子体积的3～10％，且可为氮气或其它原子量为15以上的物质。微量气体添加物可为等离子清洁中的溅击物质，来移除蚀刻时的高分子副产物或沉积介电材料或蚀刻停止层时所形成的副产物与其它残留物。在形成介电材料与蚀刻停止层前，可利用抗腐蚀溶剂来保护铜表面。本发明所述的在半导体元件中形成铜接触的方法，可确保在铜表面的清洁，以降低介层洞的电阻。

主权项

1、一种在半导体元件中形成铜接触的方法，其特征在于所述在半导体元件中形成铜接触的方法包括：以一抗腐蚀溶剂对一铜表面进行处理；形成一介电层于该铜表面上；蚀刻一开口穿过该介电层且露出该铜表面；以及以一等离子进行清洁，该等离子包括(1)氢与(2)氮或原子量为15以上的添加物，其中氮或该添加物占该等离子体积的3～10％。