[发明专利]用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法有效
| 申请号： | 200510090179.5 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1911781A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 石莎莉;陈大鹏;李超波;焦斌斌;欧毅;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;H01L21/00;G01K7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；腐蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 制冷 红外 平面 阵列 器件 性能 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，利用二次腐蚀背硅形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件，每个单元之间由硅梁进行热隔离，其特征在于，步骤如下：步骤1、在双抛光<100>硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；步骤2、在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；步骤3、腐蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；步骤4、清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；步骤5、在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；步骤6、在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；步骤7、在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；步骤8、腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。
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