[发明专利]磁性随机存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510090269.4 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1783333A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;江国庆;曾鸿辉;邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磁性随机存储元件及其制造方法。所述磁性随机存储元件，包括二第一磁性层，个别地位向于一基底上。一第二磁性层夹置于该二第一磁性层之间。以及二介电层各接触该第二磁性层的相对面，并且各夹置于第二磁性层与该二第一磁性层之一之间，其中各个该第一与第二磁性层与该介电层的位向实质上地垂直于该基底或与该基底之间形成一锐角。本发明所述的磁性随机存储元件及其制造方法，可改善MRAM堆叠的空间，同时增加设计时的裕度及制程良率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性随机存储元件，其特征在于所述磁性随机存储元件包括：二第一磁性层，个别地位向于一基底上；一第二磁性层夹置于该二第一磁性层之间；以及二介电层各接触该第二磁性层的相对面，并且各夹置于第二磁性层与该二第一磁性层之一之间，其中各个该第一与第二磁性层与该介电层的位向实质上地非平行相对于该基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510090269.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开关柜辅助电路接插装置
- 下一篇：单片机控制的蒸汽转波炉防电墙装置
