[发明专利]磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510090270.7 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1801390A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;江国庆;曾鸿辉;邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器装置亦包含磁阻性随机存取存储器堆叠，该磁阻性随机存取存储器堆叠大致上与该斜面相平行，因此该磁阻性随机存取存储器堆叠亦自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器堆叠包含大致为平面且相平行的多个的迭层，各迭层皆自基板倾斜一锐角角度。本发明接合MRAM迭层的有限面积大小下，借着改变MRAM迭层所平行的方向，增加了包含MRAM堆叠的集成电路的单元密度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁阻性随机存取存储器装置，其特征在于所述磁阻性随机存取存储器装置包含：支柱，位于基板上且至少拥有一自基板倾斜一锐角角度的斜面；以及磁阻性随机存取存储器堆叠，与上述斜面相平行，因而该磁阻性随机存取存储器堆叠亦自基板倾斜上述锐角角度。
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