[发明专利]低电阻导体及其制造方法和使用其的电子部件有效
| 申请号： | 200510090347.0 | 申请日： | 2002-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1741203A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 森田充 | 申请（专利权）人： | 新日本制铁株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/00;H01L39/24;H01R43/00;C22C9/00;C22C5/02;C22C5/06;H01F6/00;H01F5/00;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种由多个超导体常传导连接而成，且由超导体及常规导体构成的导体，其中上述导体使用了在该超导体的超导转变温度以下，该导体的表观电阻率比该超导转变温度下铜的电阻率低的超导体。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 导体 及其 制造 方法 使用 电子 部件 | ||
【主权项】：
1.一种低电阻导体的制造方法，其特征在于，使常导体介于其间地配置多个超导体，根据需要进行加压、连接处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日本制铁株式会社，未经新日本制铁株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510090347.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
