[发明专利]防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法有效
| 申请号： | 200510090563.5 | 申请日： | 2005-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1779856A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 沈建元;许献文;朱季龄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法，包括：一超循环氮化物只读存储器(NROM)元件耦合至一NROM阵列，使得当NROM阵列中的NROM元件被抹除时，该超循环NROM元件的两个位也被抹除，随后程序化该超循环NROM元件的右侧位，以便从超循环NROM元件未程序化的左侧位获得该超循环NROM元件的临界电压差，接着根据超循环NROM元件的临界电压差得到一循环次数，再根据NROM阵列的循环次数得到一临界电压偏移量，最后根据NROM阵列的临界电压偏移量计算得出一抹除电压，如果该NROM阵列再被程序化，可对NROM阵列中未程序化的NROM元件施加该抹除电压以进一步减少临界电压。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 存储器 阵列 读取 缩小 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止存储器阵列读取边限缩小的系统，其特征在于，包括：一存储器阵列，具有多个存储元件以及一超循环存储元件，具有一第一位和一第二位，所述的超循环存储元件耦合至所述的存储器阵列，使得所述的超循环存储元件的所述的第一位和所述的第二位在所述的存储器阵列中的所述的存储元件被抹除时也被抹除。
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