[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 200510090853.X | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917238A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 白士峯;曾焕哲;潘锡明;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龙潭*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，其具有寄生反向二极管，此发光二极管结构包括基板、图案化半导体层、第一导线、第二导线与绝缘层。其中，基板具有第一区域以及第二区域，而图案化半导体层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层以及位于两者之间的主动层。上述第一区域中的第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层构成发光二极管元件，而第二区域中的第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层与绝缘层构成静电放电防护二极管元件。本发明的发光二极管结构具有静电放电防护二极管元件，因此可以避免发光二极管元件遭受静电放电破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管结构，其特征是具有寄生反向二极管，该发光二极管结构包括：基板，具有第一区域以及第二区域；图案化半导体层，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层以及位于两者之间的主动层，其中位于该第一区域中的该第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层构成发光二极管元件，而位于该第二区域中的该第一型掺杂半导体层、主动层以及第二型掺杂半导体层构成静电放电防护二极管元件；第一导线，由该第一区域中的该第一型掺杂半导体层延伸至该第二区域中的该第二型掺杂半导体层；第二导线，由该第一区域中的该第二型掺杂半导体层延伸至该第二区域中的该第一型掺杂半导体层；以及绝缘层，设置于该静电放电防护二极管元件的该第一型掺杂半导体层与该第二导线之间。
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