[发明专利]液晶面板的像素结构及其制造方法与驱动方法有效
申请号: | 200510090854.4 | 申请日: | 2005-08-18 |
公开(公告)号: | CN1752830A | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 张世昌 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;H01L21/027;G09G3/36 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王昕 |
地址: | 台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种液晶面板的像素结构的制造方法,此方法是在第一基板上形成多晶硅岛状物,其中多晶硅岛状物具有主动元件区以及储存电容区。接着在储存电容区的多晶硅岛状物中植入离子以形成下电极。之后在多晶硅岛状物上形成栅绝缘层。在栅绝缘层上形成栅极与上电极。之后利用栅极作为植入掩膜于多晶硅岛状物中形成源极以及漏极,再于栅绝缘层上形成绝缘层。接着于绝缘层上形成像素电极,且像素电极与漏极与下电极电连接。随后于第二基板上形成电极膜,其中电极膜与上电极共同电连接至共电极。再于两基板之间形成液晶层。本发明的像素结构适合以共电位驱动方式驱动,以达到省电目的。 | ||
搜索关键词: | 液晶面板 像素 结构 及其 制造 方法 驱动 | ||
【主权项】:
1.一种液晶面板的像素结构的制造方法,其特征是包括:在第一基板上形成多晶硅层;图案化该多晶硅层,以形成多晶硅岛状物,其中该多晶硅岛状物具有主动元件区以及储存电容区;在该储存电容区的该多晶硅岛状物中植入离子,以形成下电极;在该多晶硅岛状物上形成栅绝缘层;在该主动元件区的该栅绝缘层上形成栅极,并且在该储存电容区的该栅绝缘层上形成上电极;利用该栅极作为掩膜进行离子植入步骤,以于该主动元件区的该多晶硅岛状物中形成源极以及漏极;在该栅绝缘层上形成绝缘层,覆盖该栅极以及该上电极;于该绝缘层上形成像素电极,其中该像素电极与该漏极以及该下电极电连接;于第二基板上形成电极膜,其中该电极膜与该上电极共同电连接至共电极;以及于该第一基板以及该第二基板之间形成液晶层。
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