[发明专利]液晶面板的像素结构及其制造方法与驱动方法有效

专利信息
申请号: 200510090854.4 申请日: 2005-08-18
公开(公告)号: CN1752830A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: 张世昌 申请(专利权)人: 中华映管股份有限公司
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;H01L21/027;G09G3/36
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人: 王昕
地址: 台湾台北*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种液晶面板的像素结构的制造方法,此方法是在第一基板上形成多晶硅岛状物,其中多晶硅岛状物具有主动元件区以及储存电容区。接着在储存电容区的多晶硅岛状物中植入离子以形成下电极。之后在多晶硅岛状物上形成栅绝缘层。在栅绝缘层上形成栅极与上电极。之后利用栅极作为植入掩膜于多晶硅岛状物中形成源极以及漏极,再于栅绝缘层上形成绝缘层。接着于绝缘层上形成像素电极,且像素电极与漏极与下电极电连接。随后于第二基板上形成电极膜,其中电极膜与上电极共同电连接至共电极。再于两基板之间形成液晶层。本发明的像素结构适合以共电位驱动方式驱动,以达到省电目的。
搜索关键词: 液晶面板 像素 结构 及其 制造 方法 驱动
【主权项】:
1.一种液晶面板的像素结构的制造方法,其特征是包括:在第一基板上形成多晶硅层;图案化该多晶硅层,以形成多晶硅岛状物,其中该多晶硅岛状物具有主动元件区以及储存电容区;在该储存电容区的该多晶硅岛状物中植入离子,以形成下电极;在该多晶硅岛状物上形成栅绝缘层;在该主动元件区的该栅绝缘层上形成栅极,并且在该储存电容区的该栅绝缘层上形成上电极;利用该栅极作为掩膜进行离子植入步骤,以于该主动元件区的该多晶硅岛状物中形成源极以及漏极;在该栅绝缘层上形成绝缘层,覆盖该栅极以及该上电极;于该绝缘层上形成像素电极,其中该像素电极与该漏极以及该下电极电连接;于第二基板上形成电极膜,其中该电极膜与该上电极共同电连接至共电极;以及于该第一基板以及该第二基板之间形成液晶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510090854.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top