[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200510090959.X | 申请日： | 2005-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1738202A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 满田刚 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体器件包括输出MOS晶体管(M0)、连接在输出MOS晶体管(M0)的栅极(G1)和接地电压(GND)之间的MOS晶体管(M3)、与MOS晶体管(M3)并联并且以MOS晶体管(M3)的衬底端为基极的寄生晶体管(Tr1)，以及用于根据电源电压(Vcc)来控制寄生晶体管(Tr1)的导通状态的寄生晶体管控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：输出晶体管，其连接在第一电源端和输出端之间，并且根据施加到其电流控制端的信号通过输出电流；过电流保护元件，其连接在电流控制端和第二电源端之间；第一检测电路，其通过第一电源端被施加电压，用于检测流经输出晶体管的电流，以将检测信号提供给过电流保护元件的第一控制端；以及第二检测电路，其通过第一电源端被施加电压，用于检测流经输出晶体管的电流，以将检测信号提供给过电流保护元件的第二控制端，并且第二检测电路工作在低于第一检测电路的电压下。
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