[发明专利]具有带有开/关控制的局部读出放大器的半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510091014.X | 申请日： | 2005-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1747066A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 申相雄;金哲洙;全永铉;李相普 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/419;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括多个存储单元阵列块、位线读出放大器、能够被控制接通或断开的局部读出放大器、数据读出放大器、以及控制器。控制器响应于第一和第二信号而将局部读出控制信号激活预定的持续时间。第一信号为激活位线读出放大器的位线读出使能信号，并且，在激活位线读出使能信号之后，将局部读出放大器激活预定的持续时间。第二信号可被激活或去激活，以与连接一对位线和一对局部输入/输出线的列选择线信号同相。因而，有可能根据操作条件而接通或断开局部读出放大器，由此增大tRCD参数并减小电流消耗。可通过将局部读出放大器与在读取操作期间不需要预充电和均衡的电流型数据读出放大器相组合，而提高半导体存储器件的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 带有 控制 局部 读出 放大器 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，包括：多个存储单元；一对局部输入/输出线，其包括耦接到所述存储单元中的一个或多个的局部输入/输出线和取反的局部输入/输出线；一对全局输入/输出线，其包括全局输入/输出线和取反的全局输入/输出线；局部读出放大器，其响应于局部读出控制信号，而对从局部输入/输出线输出的数据信号的电压进行放大、并将该数据传送到全局输入/输出线；以及数据读出放大器，其响应于读出使能信号，而对从连接到全局输入/输出线的数据输入/输出线输出的数据信号的电压进行放大、并从半导体存储器件输出该数据，其中，数据读出放大器为电流型读出放大器。
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