[发明专利]固体摄像器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510091064.8 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1731586A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 栗山俊宽 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82;H04N5/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种不牺牲灵敏度就能实现薄型化和高图像质量化的固体摄像器件及其制造方法，在将具有光电二极管(27a)和形成在光电二极管(27a)上方的第1显微透镜(21a、21b、21c)及第2显微透镜(24a、24b、24c)的多个单位像素(11)以二维形状排列而形成摄像区域(13)的固体摄像器件中，第1显微透镜(21a、21b、21c)或者第2显微透镜(24a、24b、24c)的凸面上，凸面最大曲率从摄像区域(13)的中心部位向外周部位变大。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像器件，将具有光电转换元件和形成在上述光电转换元件上方的凸型显微透镜的多个单位像素以二维形状排列而形成摄像区域，其特征在于，上述单位像素所具有的显微透镜的凸面的最大曲率从上述摄像区域的中心部位向外周变大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
