[发明专利]薄膜晶体管（TFT）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200510091311.4 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1716637A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 金泰成 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;王景朝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 tft 包括 平板 显示器 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用来向沟道区提供信号的栅极；分别连接到源极/漏极区的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽和钽合金中的至少一种；和夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。
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