[发明专利]使用原子层沉积工艺制造金属硅酸盐层的方法

摘要

提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

主权项

1.一种使用原子层沉积工艺在基底上制造金属硅酸盐层的方法，所述的方法包括顺序的步骤：(a)将基底装载入反应器；(b)在反应条件下，向具有基底的反应器中供应含有所需金属的金属源气体，以在基底上形成包含所需金属的第一化学吸收层；(c)在反应条件下，向反应器中供应氧化物气体，使其与包含所需金属的第一化学吸收层反应，以在基底上形成包含所需金属的金属氧化物层；(d)顺序地重复进行步骤(b)和(c)K次；(e)在反应条件下，向该反应器供应硅源气体，以在基底上的金属氧化物层上形成包含硅的第二化学吸收层；(f)在反应条件下，向反应器中供应氧化物气体，使其与该金属氧化物层和包含硅的第二化学吸收层反应，以形成金属硅酸盐层；(g)顺序地重复进行步骤(e)和(f)Q次；以及(h)顺序地进行步骤(b)、(c)、(d)、(e)、(f)和(g)的操作至少一次，从而形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，其中值K和Q中之一至少是2。