[发明专利]电子发射源的形成方法、该电子发射源以及包括该电子发射源的电子发射装置无效
| 申请号： | 200510091394.7 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1741227A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李炫知;金昌昱 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;段晓玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层固定到基于有机硅氧烷的材料上；固化固定到碳纳米管层的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 形成 方法 以及 包括 装置 | ||
【主权项】：
1.电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层与基于有机硅氧烷的材料接触；固化与碳纳米管层接触的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。
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