[发明专利]集成无源器件无效
| 申请号： | 200510091400.9 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1776895A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 伊恩·迪格尼;毛瑞恩·Y·劳;金莲泰 | 申请（专利权）人： | 赛骑有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明书描述了一种形成在多晶硅衬底上的集成无源器件(IPD)。公开了一种制造IPD的方法，其中从单晶处理晶片开始、在起始晶片一侧或者两侧沉积多晶硅的厚的衬底层、在多晶硅衬底层的其中一层上形成IPD以及除去处理晶片来生产多晶硅衬底。在优选实施例中，单晶硅处理晶片为从单晶硅晶片生产线中废弃的硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 无源 器件 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造集成无源器件即IPD的方法，包括步骤：a.提供多晶硅晶片衬底，该多晶硅晶片衬底具有多个IPD位置，以及b.在IPD位置上形成至少一个薄膜无源器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
