[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，在铁电电容器的上电极上形成由Ti或Ir制成的覆盖膜。随后，形成覆盖铁电电容器的氧化铝膜作为保护膜。此外，通过溅射方法形成覆盖铁电电容器的SiO₂膜，其中氧化铝膜位于铁电电容器与SiO₂膜之间。在形成层间绝缘膜之后，分别形成抵达覆盖膜和下电极的孔，并且在孔中形成由Ti或TiN制成的阻挡金属膜和W膜。

主权项

1.一种半导体器件，包括：铁电电容器；第一绝缘膜，其覆盖所述铁电电容器并抑制水分渗透到所述铁电电容器中；以及第二绝缘膜，其具有高于所述第一绝缘膜的加工性，并且覆盖所述铁电电容器并抑制水分渗透到所述铁电电容器中，其中所述第一绝缘膜位于所述铁电电容器与所述第二绝缘膜之间。