[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体制造方法，在p型的半导体基板(11)上，形成积蓄电荷的ONO膜(12a)。在ONO膜(12)上形成开口部(12d)，从形成的开口部(12d)向半导体基板(11)注入砷离子，从而在半导体基板(11)的各开口部(12d)的下侧部位形成n型扩散层(14)。形成覆盖ONO膜(12)的开口部(12d)的端部的保护氧化膜(15)，在含氧的气体介质中，隔着保护氧化膜(15)对半导体基板(11)进行热处理，将各n型扩散层(14)的上部氧化，从而在各n型扩散层(14)的上部形成比特线氧化膜(16)。在ONO膜(12)上形成导电体膜，从而形成字线(17)。可防止具有陷阱膜的存储单元的数据保持特性的劣化。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在具有第1导电型的半导体区域之上，形成通过积蓄电荷来存储信息的陷阱膜的工序a；在所述陷阱膜上形成多个开口部，从形成的所述各开口部向所述半导体区域离子注入第2导电型的杂质离子，从而在所述半导体区域中的所述各开口部的下侧部位形成第2导电型的多个扩散层的工序b；形成覆盖所述陷阱膜中的所述开口部侧的端部的绝缘膜的工序c；在所述工序c后，在含氧的气体介质中对所述半导体区域进行热处理，使所述各扩散层的上部氧化，从而在所述各扩散层的上部形成氧化绝缘膜的工序d；以及在包含所述陷阱膜的端部在内的所述陷阱膜上，形成导电体膜，从而形成电极的工序e。