[发明专利]具有测试数据缓冲器的非易失性存储设备及其测试方法有效

专利信息
申请号: 200510091462.X 申请日: 2005-08-12
公开(公告)号: CN1750172A 公开(公告)日: 2006-03-22
发明(设计)人: 尹童奎;李真烨 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/10;G11C29/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种包括非易失性存储器核心的存储设备,所述非易失性存储器核心包括存储单元阵列和被配置以存储将在存储单元阵列中被编程的数据的页缓冲器。设备还包括:被配置以从外部源接收测试数据的测试数据输入缓冲器和控制非易失性存储器核心及测试数据输入缓冲器的控制电路。控制电路被配置以把测试数据从测试数据缓冲器加载到页缓冲器,在存储单元阵列中对页缓冲器中加载的测试数据编程,并且在页缓冲器中保持测试数据,用于存储单元阵列的随后的编程。设备还可以包括测试数据输出缓冲器,被配置以接收从存储单元阵列读取的数据,控制电路可以被操作为把来自测试数据输出缓冲器的读取的数据传送给外部接受者。
搜索关键词: 具有 测试数据 缓冲器 非易失性 存储 设备 及其 测试 方法
【主权项】:
1.一种存储设备,包括:非易失性存储器核心,包括存储单元阵列和页缓冲器,所述页缓冲器被配置以存储将在存储单元阵列中被编程的数据;测试数据输入缓冲器,被配置以接收来自外部源的测试数据;以及控制电路,控制非易失性存储器核心及测试数据输入缓冲器,所述控制电路被配置为:把测试数据从测试数据缓冲器加载到页缓冲器,在存储单元阵列中对页缓冲器中加载的测试数据编程,并且在页存储器中保持测试数据,用于存储单元阵列的随后的编程。
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