[发明专利]固体电解电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200510091646.6 | 申请日： | 2005-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1761006A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 小林延幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/004 | 分类号： | H01G9/004;H01G9/02;H01G9/028;H01G9/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供静电容量大并且ESR低的可靠性高的固体电解电容器及其制造方法。是作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器，是包括：阳极体(1)、形成于阳极体(1)的表面的电介质氧化覆盖膜(2)、部分地形成于电介质氧化覆盖膜(2)上的第1导电性高分子化合物层(3)、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层(3)的电介质氧化覆盖膜(2)上的硅烷偶合剂处理层(4)、形成于第1导电性高分子化合物层(3)上及硅烷偶合剂处理层(4)上的第2导电性高分子化合物层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体电解电容器，是作为固体电解质使用了导电性高分子化合物的固体电解电容器，其特征是，包括：阳极体、形成于所述阳极体的表面的电介质氧化覆盖膜、部分地形成于所述电介质氧化覆盖膜上的第1导电性高分子化合物层、至少形成于未形成第1导电性高分子化合物层的电介质氧化覆盖膜上的硅烷偶合剂处理层、形成于所述第1导电性高分子化合物层上及所述硅烷偶合剂处理层上的第2导电性高分子化合物层。
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