[发明专利]凸起形成装置和方法无效
| 申请号： | 200510091651.7 | 申请日： | 2001-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1838380A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 成田正力;吉田幸一;池谷雅彦;前贵晴;金山真司;今西诚;东和司;福本健治;和田浩 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 凸起 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种凸起强度改善装置，具有：对在半导体元件(60、70)的电极(51)上形成凸起(52)的凸起形成完成元件(61、72)、比较凸起形成时的上述电极和上述凸起之间的接合强度，以可达到该接合强度改善的接合强度改善条件、进行加热的加热装置(3162)，和对上述加热装置进行根据上述接合强度改善条件的加热控制的控制装置(317)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
