[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
申请号: | 200510091746.9 | 申请日: | 2000-03-29 |
公开(公告)号: | CN1722475A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 古泽昌宏;关俊一;宫下悟;下田达也;汤田坂一夫;松木安生;竹内安正 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社;JSR株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郭煜;邹雪梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、光电变换元件的制造方法,为在基板上依次层压第1电极、半导体层压膜、第2电极而成的光电变换元件的制造方法,其特征在于,具有:在上述基板上形成上述第1电极的工序,在上述第1电极上形成半导体层压膜的工序,在上述半导体层压膜上涂布含有金属的液体材料形成含金属涂布膜的工序,和对上述含金属涂布膜进行热处理形成上述第2电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的