[发明专利]金汞齐微电极及其制备方法无效
申请号: | 200510091889.X | 申请日: | 2005-08-15 |
公开(公告)号: | CN1731166A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 许昆明 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 金汞齐微电极及其制备方法,涉及一种金汞齐微电极,尤其是涉及一种主要适用于测量海水和沉积物的金汞齐微电极与制备方法以及在环境测量中的应用。提供一种主要适用于测量沉积物氧化还原化学成分的金汞齐微电极与制备方法及其在环境测量中的应用。设有玻璃管,在玻璃管内的下部设置直径为25~100μm的金丝,在玻璃管内的上部设置银线引出端,金丝的上端与银线引出端的下端由灰银导电胶连接,在玻璃管顶部由环氧树脂胶密封并固定银线引出端,在金丝的下端表面镀有汞膜。可直接插入海水或沉积物中用于测量海洋沉积物及生物膜的溶解氧,Mn2+,Fe2+和S2-氧化还原化学成分。 | ||
搜索关键词: | 金汞齐 微电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、金汞齐微电极,其特征在于设有玻璃管,在玻璃管内的下部设置直径为25~100μm的金丝,在玻璃管内的上部设置银线引出端,金丝的上端与银线引出端的下端由灰银导电胶连接,在玻璃管顶部由环氧树脂胶密封并固定银线引出端,在金丝的下端表面镀有汞膜。
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