[发明专利]静电放电指环结构无效
| 申请号： | 200510091924.8 | 申请日： | 2005-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1913147A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;李健铭 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/62;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的静电放电汇流排指环结构，其中的指环包含了多个金属层，金属层和金属层之间可由导电插塞(conductive plug)电性连接，借着布局(layout)可以用氧化区将指环分隔出互相不电性连接的两个指环区域，其中一个指环区域是Vss静电放电汇流排，另一个指环区域是Vdd静电放电汇流排。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 指环 结构 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电指环结构，包含：一第一静电放电结构，位于一晶粒的边缘，且电性连接于一第一电源结构，该第一静电放电结构系由多个第一导体层所组成，其中该第一静电放电结构系为一Vss静电放电汇流排，且该第一电源结构系为一Vss电源汇流排；及一第二静电放电结构，相邻于该第一静电放电结构且位于该第一静电放电结构的上方，并与其电性互相隔离，该第二静电放电结构系电性连接于第二电源结构，且系由多个第二导体层所组成，其中该第二静电放电结构系为Vdd静电放电汇流排，且该第二电源结构系为Vdd电源汇流排。
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