[发明专利]动态随机存取存储器的存储单元及其阵列结构

摘要

一种动态随机存取存储器的存储单元，其包括沟槽式电容结构、晶体管与堆栈式电容结构。其中，沟槽式电容结构的第一电极配置于沟槽底部的基底中，而其第二电极配置于沟槽中。晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，且栅极配置于沟槽式电容结构侧边的基底上，而第一源/漏极与第二源/漏极配置于栅极两侧的基底中。堆栈式电容结构的第三电极配置于晶体管的栅极与沟槽式电容结构之间的基底上，而其第四电极配置于基底上方，且位于第三电极上。上述的第一电极与第四电极电连接，且第二电极与第三电极电连接。

主权项

1、一种动态随机存取存储器的存储单元，包括：一沟槽式电容结构，配置于一基底的一沟槽中，且该沟槽式电容结构具有一第一电极与一第二电极，其中该第一电极配置于该沟槽底部的该基底中，该第二电极配置于该沟槽中；一晶体管，该晶体管具有一栅极、一第一源/漏极与一第二源/漏极，该栅极配置于该沟槽式电容结构侧边的该基底上，该第一源/漏极与该第二源/漏极配置于该栅极两侧的该基底中，且该晶体管的该第一源/漏极电连接该沟槽式电容结构；以及一堆栈式电容结构，该堆栈式电容结构具有一第三电极与一第四电极，该第三电极配置于该晶体管的该栅极与该沟槽式电容结构之间的该基底上，该第四电极配置于该基底上方，且位于第三电极上，且该堆栈式电容结构电连接该晶体管的该第一源/漏极，其中该第一电极与该第四电极电连接，且该第二电极与该第三电极电连接。