[发明专利]非挥发性存储器的操作方法无效

专利信息
申请号: 200510091965.7 申请日: 2005-08-15
公开(公告)号: CN1917214A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: 张格荥;黄丘宗 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种非挥发性存储器的操作方法,适用于操作一存储单元列,此存储单元列至少包括位于绝缘层上硅基底中的主体层、位于主体层上的多个浮置栅极、位于相邻两浮置栅极间的主体层中的多个源极/漏极区,以及位于浮置栅极上的控制栅极。此操作方法于进行抹除操作时,在存储单元列选定的第一源极/漏极区施加第一电压,于选定的第二源极/漏极区施加第二电压,以对于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的存储单元区块进行抹除操作。
搜索关键词: 挥发性 存储器 操作方法
【主权项】:
1、一种非挥发性存储器的操作方法,适用于操作一存储单元列,该存储单元列至少包括:一主体层,位于一绝缘层上硅基底中;多个浮置栅极,位于该主体层上;多个源极/漏极区,位于相邻两该些浮置栅极之间的该主体层中;一控制栅极,位于该些浮置栅极上;该操作方法包括:进行抹除操作时,在该存储单元列选定的一第一源极/漏极区施加一第一电压,于选定的一第二源极/漏极区施加一第二电压,以对于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间的一存储单元区块进行抹除操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司,未经力晶半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510091965.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code