[发明专利]蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置有效
申请号: | 200510091987.3 | 申请日: | 2005-08-15 |
公开(公告)号: | CN1734722A | 公开(公告)日: | 2006-02-15 |
发明(设计)人: | 松尾弘之;中岛俊贵;宫崎邦浩 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社;株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/76 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤:准备基础材料;将蚀刻剂供应到基础材料上,以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶,使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 形成 沟槽 隔离 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1、一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法,基础材料具有用作为主材料的Si构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域,该方法包括下述步骤:准备基础材料;和将蚀刻剂供应到基础材料上,以利用蚀刻剂对Si的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶,使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社;株式会社东芝,未经精工爱普生株式会社;株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510091987.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像显示设备和便携式终端设备
- 下一篇:格式化文档的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造